“3nm”工艺超越AMD+三星电子 Intel放言2年后全面领先

在前不久的金融市场则大会上，Intel大受欢迎了最新的CPU/GPU及材料示意图，要在4年内驾驭5代CPU材料，技术上非常激进派，现在Intel CEO亨利·基辛格更是自信喊衹，2024年的Intel 3材料键值上，不仅是落后AMD，顺道也超越MOS成为家电技术极好的的公司。

在日前的摩根斯坦利大则会上，Intel CEO亨利·基辛格时说了的公司的现代化材料及AMD系由列产品的持续发展进度，再次申明了对将会几家电艺的热忱，指出有2个开发团队分别开发Intel 4/3材料及20A/18A材料，的发展很如愿。

亨利·基辛格还时说了实际的系由列产品日期，主要是针对IP级AMD，其中Sapphire Rapids大受欢迎时，亨利·基辛格并不认为AMD则会一再做出澄清，它跟AMD的EPYCAMD则会是一场差异性很近的竞赛。

再更进一步就不一样了，等到Intel大受欢迎Granite Rapids和Sierra ForestAMD时，这些系由列产品无论如何将是极好的，而且Intel的材料也则会从先前的落后转化成IP材料技术的落后，届时Intel将驾驭极好的系由列产品、极好的材料及极好的系由列产品。

这些衹什么意思？我们先前介绍过，Sapphire Rapids是Intel今年上半年要发布的IPAMD，基于Intel 7材料，再更进一步的IPAMD就要走性能核分裂+能效核分裂的异构体系由了，其中Granite Rapids是性能核分裂核心的至弱新产品，Sierra Forest则是反应速度核分裂的至弱新产品，两款系由列产品都使用Intel 3材料生产，2024年投入生产。

所以亨利·基辛格的表态就意味着，在2024年的Intel版“3nm”键值上，他们的至弱AMD要落后AMD当时的EPYCAMD——后者实际是啥还不考虑到，但大几率是3nm Zen5核心的EPYC。

不仅是超越AMD，亨利·基辛格并不认为Intel 3材料还要在半导体家电厂家大展身手，落后MOS，因为Intel 3材料也则会对外提供者半导体家电增值，2024月份还有更现代化的18A材料可供家电。

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