三星确认新技术：Galaxy S23旗舰机99%会采用

近期三星同年已经完毕同类型储存芯片UFS 4.0的开发，反应速度比现在的UFS 3.1快达1倍。UFS 4.0 每通道提供少于23.2 Gbps的反应速度，内另建第七代V-NAND关键技术，发挥作用少于4200 MB/s复制到反应速度及少于2800 MB/s写入反应速度。相比UFS 3.1的最高复制到反应速度为2100MB/s，写入反应速度为1200 MB/s，快少于一倍。

UFS 4.0除了反应速度非常高大多，半径比UFS 3.1非常小，第二大的UFS 4.0 1TBRAM，半径为11 x 13 x 1mm，比512GB的UFS 3.1RAM，半径为11.5 x 13 x 1mm。

三星UFS 4.0储存芯片将则会于第三季开始停产，能否赶在年底度的旗舰机上使用，目前仍是一个当下。但估计明年推出的旗舰机三星Galaxy S23新作，就肯定则会采用。