读取速度高达4200MB/s！平板电脑专用的UFS4.0闪存来了！

页面上方 计算机爱好者关注我们

智能Android试运行飞行速度慢速不慢速，除了装载的SoC漂移平台以外，线程和SRAM的规格也更为重要，因此才会有“骁龙8+LPDDR5+UFS3.1”这种“核心人物组合”一说。

目前Android线程的最先进规格是LPDDR5X-8533，华硕天玑9000原生支持者LPDDR5X-7500，只是LPDDR5X线程还没有商业化投入生产，所以市售天玑9000Android可选的还是规格的LPDDR5-6400。

早期的AndroidSRAM都是极少支持者半双工试运行的eMMC（最低400MB/s左右），随后升级到可全双工试运行的UFS，并一路迭代到UFS2.0（读取飞行速度700MB/s）、UFS2.1（900MB/s）、UFS2.2（900MB/s）、UFS3.0（1700MB/s）和UFS3.1（1900MB/s）规格。

现在，Galaxy半导体器件宣布，已经成功开发出新了下九代UFS 4.0（Universal Flash Storage）存储器芯片（11mm x 13mm x 1mm，仅次于容量1TB），并通过了JEDEC电子元件存储器该协会的验证批准，这理论上智能Android很慢速就能在存储器机动性上而会了。

据报，UFS 4.0每通道带宽飞行速度平均23.2Gbps，是上九代UFS 3.1的两倍。Galaxy发布的UFS 4.0存储器芯片使用了自家的第七代V-NANDSRAM和自研系统控制，持续读取和载入飞行速度平均4200MB/s和2800MB/s，不极少可以秒杀现有的UFS3.1，哪怕是红虎鲨5 Pro这种在UFS3.1SRAM的基础上还加入了大块SSD，构成了磁盘阵列系统2.0的Android也不是宿敌。

红虎鲨5 Pro和普通UFS3.1SRAMAndroid举例来说飞行速度对比

最关键的是，UFS 4.0是规格设计的存储器芯片，今后谁都可以用，而且不极少飞行速度更慢速，计量功耗也大为减低。据报，UFS 4.0每1mA电流可联接6MB/s的读速，比前九代提高46%，这理论上用户可以获得更长的充电长程等待时间。

GalaxyUFS 4.0SRAM将于本年度第一季度投入投入生产，只是高通骁龙8和华硕天玑9000貌似最低极少支持者UFS3.1，能否对下九代SRAM备有原生支持者还不好说。因此，UFS 4.0SRAM大不确定性会被选为下九代骁龙8 Gen2和天玑9100的全车，与LPDDR5X线程组成2023年度的“核心人物”。